图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 120mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.3V @ 94µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 150pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.12 A |
| 系列 | BSP125 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 45000 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 1800 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-223-4 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 零件号别名 | BSP125L6433HTMA1 |
| 上升时间 | 14.4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 14.4 ns |
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